Кафедра электронных приборов

  • О кафедре
  • Контакты
  • Направления подготовки
  • Материально-техническая база
  • Партнеры кафедры
Козырев Евгений Николаевич / заведующий кафедрой, д.т.н., д.э.н., проф., академик РАЕН, академик МАНЭБ

Кафедра электронных приборов была организована в 1982 году, и первым заведующим новой кафедры стал основатель факультета электронной техники и кафедры промышленной электроники Г. М. Бутаев. С 1984 года кафедру электронных приборов возглавляет Заслуженный работник высшей школы РФ д.т.н., проф. Козырев Е.Н. К моменту своего основания достижения ученых кафедры в подготовке специалистов, в учебно-методической и научно-исследовательской деятельности были известны далеко за ее пределами. Свидетельством тому является тот факт, что в 1984 г. по решению Минэлектронпрома СССР под руководством Козырева Е.Н. была организованна отраслевая научно-исследовательская лаборатория по электронным приборам и устройствам. А в 1986 г. по решению Министерства высшего и среднего специального образования СССР на базе СКГМИ была проведена XI Всесоюзная научная конференция по электронике СВЧ, в работе которой приняли участие около 300 представителей вузов, НИИ и промышленных предприятий со всего Советского Союза.

Кафедра готовила специалистов по специальности «Электронные приборы и устройства», бакалавров и магистров по направлению «Электроника и микроэлектроника».

В 1992 г. кафедра ЭП одной из первых в вузе перешла на подготовку специалистов по многоуровневой системе.

За время существования кафедры было подготовлено более 3000 специалистов по специальностям «Электронные приборы» и «Электронные приборы и устройства», а также по направлениям подготовки «Электроника и микроэлектроника» и «Электроника и наноэлектроника».

Зав.кафедры:
+7 (8672) 407-443
Преподавательская:
+7 (8672) 407-444
Месторасположение

5 корпус, 6 этаж

В настоящее время кафедра отвечает за обеспечение учебного процесса и выпуск специалистов по следующим направлениям подготовки:

  • 11.03.04 «Электроника и наноэлектроника» (профиль «Нанотехнологии в электронике», уровень квалификации выпускника – бакалавр);
  • 11.03.04 «Электроника и наноэлектроника» (профиль «Медицинская электроника», уровень квалификации выпускника – бакалавр);
  • 11.04.04 «Электроника и наноэлектроника» (профиль «Микро- и наноэлектроника», уровень квалификации выпускника – магистр);

Профессора кафедры осуществляют подготовку аспирантов по двум направлениям:

  • 2.2.1 «Вакуумная и плазменная электроника»;
  • 2.2.2 «Электронная компонентная база микро- и наноэлектроники, квантовых устройств».

Проведение всех видов учебных занятий и практик предусмотренных учебным планом, а также выполнение и защита выпускных квалификационных работ бакалавров, магистров и аспирантов осуществляется в аудиториях и лабораториях кафедры, которые оснащены специализированным оборудованием. На кафедре функционируют следующие лаборатории:

  • Лаборатория наноэлектроники
  • Лаборатория физической электроники
  • Лаборатория радиоэлектроники и радиоизмерений
  • Лаборатория компьютерного моделирования
  • Лаборатория полупроводниковой электроники
  • Лаборатория квантовой электроники и фотоники
  • Лаборатория электронных компонентов
  • Лаборатория материалов электронной техники
  • Лаборатория научных исследований
  • Лаборатория микроволновой техники

Оснащение лабораторий включает в себя современное и традиционное оборудование, среди которого:

  • Потенциостат Р-150
  • Хроматограф
  • Оптический микроскоп «Leica» с оптическим увеличением до 1200
  • Лабораторные аппаратно-программные комплексы «NI ELVIS» для схемотехнического моделирования и проектирования
  • Масс-спектрометр квадрупольный
  • Высоковакуумный откачной пост «Вершина»
  • Установка вакуумного напыления УВР-4
  • Установка измерения электрических и оптических параметров. Нестандартная
  • Установка измерения диэлектрической проницаемости. Нестандартная
  • Установка магнетронного напыления
  • Спектрофотометр Specord - 250 plus
  • Спектрофотометр СФ-2000
  • ИК-Фурье спектрометр ALPHA

Кафедра активно взаимодействует с предприятиями ОАО "Гран", ОАО «Радуга», ОАО «Разряд», ОАО «Ростелеком», ОАО «Глобал Алания», Северо-Кавказский Многопрофильный медицинский центр, Владикавказский технологический центрй "Баспик", Научно-производственный центр АО «ЦКБ РМ» НИИЭМ, поликлиника СКГМИ.

История кафедры

Кадровый состав

Козырев Евгений Николаевич
заведующий кафедрой
д.т.н., д.э.н., профессор
академик РАЕН, академик МАНЭБ
Гончаров Игорь Николаевич
д.т.н., профессор
Кодзасова Татьяна Львовна
к.т.н, доцент
заместитель декана ФИТЭТ
Асланов Микис Арчилович
старший преподаватель
заместитель декана ФИТЭТ
Аскеров Роман Олегович
ведущий инженер кафедры
(по совместительству)
Мустафаев Гусейн Абакарович
д.т.н., профессор
Мерзлов Виктор Сергеевич
к.т.н, доцент
Дедегкаева Лариса Магометовна
к.т.н., доцент
Ванеева Джульетта Джемалиевна
ассистент

Трудоустройство выпускников

Выпускники направления «Электроника и наноэлектроника» профиля «Нанотехнологии в электронике» трудоустраиваются на предприятия электронной промышленности, на предприятия сервиса, занимающиеся производством, ремонтом и техническим обслуживанием разного рода электронной техники – автомобильной электроники, систем «умный дом», медицинской электронной аппаратуры, компьютерной техники и т.п. Обладая широкими знаниями и навыками, выпускники кафедры способны работать со сложной радиоэлектронной аппаратурой, компьютерными сетями, и востребованы в государственных структурах, в вооруженных силах, и практически в любых организациях и на любых предприятиях, оснащенных электронной техникой, компьютерами, системами автоматики и пр. В выпускниках профиля «Медицинская электроника» заинтересованы предприятия и организации, работающие в области медицины. Среди них Северо-Кавказский многопрофильный медицинский центр, больницы и поликлиники г.Владикавказа, РСО-Алания и других регионов СКФО и России в целом, медицинские диагностические центры, частные клиники, стоматологические клиники, сервисные центры по ремонту и обслуживанию медицинской электронной аппаратуры.

Научно-исследовательская деятельность

На протяжении всего времени существования кафедры, под руководством её заведующего сотрудники кафедры активно ведут научные работы по разработке и исследованию оптоэлектронных, микро- и наноэлектронных приборов и устройств, приборов и устройств микроволнового диапазона, преобразователей солнечной энергии в электрическую, телевизионных вещательных и спутниковых устройств, исследования по применению электронных приборов и устройств в медицине.

В 2006 году кафедра «Электронные приборы» получила грант Президента РФ по развитию и поддержанию ведущих научных школ РФ, была признана ведущей научной школой РФ по опто-микро-нано электронике. В 2008 году подтвердив это звание, вновь получила грант Президента.

Коллектив кафедры провел большую научно-исследовательскую работу в рамках Федеральной целевой программы «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2014 – 2021 годы» по разработке и исследованию многослойных фотонно-кристаллических материалов на основе наноструктуированного пористого оксида алюминия.

По результатам научных исследований сотрудниками кафедры за последние 10 лет опубликовано 3 монографии, 186 статей, получено 5 патентов РФ. В проведении научно-исследовательских работ активно участвуют студенты и аспиранты кафедры.

Успешно прошла конкурсный отбор и научную экспертизу заявка в Российский научный фондна Конкурс 2022 года «Проведение фундаментальных научных исследований и поисковых научных исследований отдельными научными группами» (региональный конкурс) по теме: «Разработка высокоэффективных преобразователей солнечной энергии в электрическую на основе материалов со структурой перовскита и наноструктурированного пористого анодного оксида алюминия». Данное направление развивается под руководством заведующего кафедрой Электронные приборы доктора технических наук профессора Козырева Е.Н. в СКГМИ (ГТУ) на протяжении нескольких лет.

Данное направление развивается под руководством заведующего кафедрой Электронные приборы доктора технических наук профессора Козырева Е.Н. в СКГМИ (ГТУ) на протяжении нескольких лет.

Научные исследования в рамках проекта будут направлены на решение актуальной в настоящее время проблемы энергодефицита, которая является одной из самых обсуждаемых в мире.

Возобновляемые источники энергии – это использование солнечной энергии, энергия ветра, воды, и др. Наиболее перспективным в этой области направлением в настоящее время является использование солнечной энергии. Особенно это актуально для республики Северная Осетия - Алания, для всего Северо-Кавказского региона.

Технология солнечных элементов - является одним из эффективных способов преодоления энергетического кризиса. На этом фоне появилось новое, бурно развивающее направление – солнечные элементы на основе гибридных органо-неорганических полупроводниковых материалов с перовскитной структурой.

Данный класс полупроводников привлек к себе большое внимание в связи с его превосходными фотосорбционными характеристиками. Экстраординарная совокупность электрических свойств и абсорбционных характеристик гибридных перовскитов позволила в течение 2009-2020 годов повысить эффективность преобразования энергии солнечных элементов на их основе с 3,8% до 28%.

Этот материал может использоваться в солнечных батареях вместо кремния или как слой поверх кремниевых солнечных элементов, чтобы повысить производство энергии путем поглощения части спектрального диапазона, в которой кремний работать не может.

Теоретический максимум эффективности таких солнечных элементов оценивается более 30%, тогда как для кремниевых элементов он ограничен 27%, а на практике ~ 25%. Ключевыми проблемами перовскитной солнечной энергетики является недостаточная стабильность и долговечность перовскитных солнечных элементов. В настоящее время их долговечность измеряется в тысячах часов, что недостаточно для организации широкомасштабного производства.

Проблема деградации солнечных элементов на базе металлоорганических галоидных перовскитов (МГП) активно изучается в последнее время. Установлен ряд причин, связанных как с внешними факторами, такими, как влажность, присутствие кислорода, высокие температуры, ультрафиолетовое излучение и т.д., так и с внутренними факторами, такими как миграция ионов и электронов, межфазные реакции, поверхностные состояния и прочее. Ключевым внутренним фактором деградации является перестройка 3D-конфигурации МГП, приводящая к деградации катиона метиламмония (МА) с течением времени.

В данном проекте будут разработаны методы управления анизотропией структуры и свойств таких материалов, что открывает путь к формированию композитов на базе перовскитов с заданными функциональными свойствами, обеспечивающими повышенную стабильность и долговечность в условиях жесткой атмосферной эксплуатации при повышенных температурах, высокой влажности окружающей среды и интенсивном УФ-воздействии.

Перспективным направлением является разработка преобразователя солнечной энергии на основе наноструктурированного пористого анодного оксида алюминия. На этой основе будут разработаны технологии, направленные на получение многослойных фотонных кристаллов, обеспечивающих почти полное управление движением проходящего через них света при использовании так называемых разрешенных и запрещенных энергетических состояний для фотонов в видимом и примыкающих ним ближней инфракрасной и ультрафиолетовой областей спектра. Это позволит изменять дисперсионные свойства среды, значительно увеличивать источники яркости и повышать КПД преобразователей солнечной энергии. В результате будут созданы новые материалы на базе металлоорганических перовскитов на основе наноструктурированного пористого анодного оксида алюминия.

В результате выполнения проекта будут разработаны и созданы:

- новые материалы на базе металлоорганических перовскитов на основе наноструктурированного пористого анодного оксида алюминия;

- методы синтеза в пористой структуре НПАОА путем инкорпорирования различных оксидов металлов в качестве неорганических полупроводников с различным типом проводимости – транспортных слоев для переноса электронов и дырок, в том числе оксида никеля (p-типа), оксидов титана, цинка (n-типа);

- лабораторные технологические регламенты изготовления НПАОА на основе элементов фотонных кристаллов, концентрации растворов веществ для инкорпорирования в поры НПАОА, их режимы обработки;

- способы формирования наноструктур металлоорганических перовскитов путем инкорпорирования их в поры НПАОА. Отработка при этом методов синтеза соединений перовскита;

- исследование зарождения и роста НПАОА при электрохимическом анодировании путем оптимизации сложных электролитов и достижения лучшей упорядоченности пор оксида алюминия.

Возможные потребители ожидаемых результатов, а также возможные пути и необходимые действия по доведению до потребителя ожидаемых результатов: Основными потребителями ожидаемых результатов проекта являются предприятия-производители солнечных панелей: НПП «Квант» (г. Москва); ЗАО «Телеком-СТВ». (г. Москва, Зеленоград); ОАО «Сатурн» (г.Краснодар); АО «РЗМКП» (г. Рязань); ФГБУ ВИЭСХ (г. Москва), а также крупные холдинги, министерства и ведомства, ответственные за внедрение альтернативной экологически чистой энергетики и развитие инновационных секторов экономики.

Ключевой потребитель планируемых результатов - один из крупнейших производителей солнечных батарей в России ООО «Хевел». «Хевел» - совместное предприятие «Роснано» и «Реновы», имеющая в России завод по производству солнечных модулей (Новочебоксарск, Чувашия). Завод использует тонкопленочную технологию производства солнечных модулей методом напыления нанослоев, что совместимо с технологией производства перовскитных солнечных элементов. Годовой объем производства составляет более одного млн. панелей ежегодно. Также потребителями результатов могут стать зарубежные исследовательские центры, малые и средние предприятия, заинтересованные в научно-технологическом сотрудничестве с Россией, научные организации других регионов мира.

Сроки реализации проекта: 2023-2025 гг.

Объем финансирования 15 000 000 (пятнадцать миллионов) рублей.

На факультете более 10 лет проводится ежегодный «Республиканский конкурс научно-исследовательских работ студентов СКГМИ (ГТУ) и вузов РСО-Алания на соискание премии имени Тазарета Дедегкаева, учрежденный Александром Тазаретовичем Дедегкаевым».

Тазарет Темурканович Дедегкаев – 1934–1987г.г. - Крупный ученый-физик из славной плеяды питерской научной школы, давшей миру нобелевских лауреатов Льва Ландау и Жореса Алферова. Неутомимый генератор идей в области твердотельной электроники, заслуженный изобретатель СССР.

За время существования конкурса в нем приняли участие около 200 студентов и магистрантов с огромным научным потенциалом. Темы их разработок связаны с самыми современными и актуальными вопросами физики, электроники и прикладной информатики. Все работы выполняются под руководством лучших преподавателей вузов.

Темы посвящены самым разнообразным вопросам: моделированию и созданию солнечных батарей, датчиков для анализа процессов взаимодействия заряженных частиц в ускорителях, созданию новых материалов для наноэлектроники, разработке web-приложений, информационных систем, 3D-моделированию с помощью современных САПР и др.

Экспертами, оценивающими значимость работ для науки и производства, являются научные деятели и ведущие специалисты по соответствующим направлениям конкурса.

Для многих конкурсантов участие в нем стало первым шагом в научной деятельности.

Воспитательная деятельность

Воспитательная работа коллектива кафедры «Электронные приборы» осуществляется в соответствии с планом воспитательной работы факультета информационных технологий и электронной техники. К приоритетным направлениям воспитательной работы кафедры относятся: мировоззренческое, гражданско-патриотическое, духовно-нравственное, научно-исследовательское, культурно-эстетическое, спортивно-оздоровительное (в том числе пропаганда ЗОЖ). На 1-2 курсах в группах работают кураторы. Кураторы способствуют повышению эффективности учебно-воспитательного процесса, обеспечивают координацию обучения и воспитания студентов в университете, влияют на формирование личности будущих специалистов.

Кафедральный коллектив уделяет особое внимание вопросам всесторонней адаптации студентов к условиям вузовского обучения, способствует развитию необходимых профессиональных и гражданских качеств, формированию понимания общественной значимости выбранной профессии, обеспечивает участие студентов в мероприятиях, проводимых университетом, факультетом, группой.

Во внеучебное время преподаватели кафедры проводят коллективные и индивидуальные мероприятия со студентами: беседы, встречи, дискуссии, экскурсии.

Студенты кафедры постоянно привлекаются к научной работе, участвуют во всероссийских и международных научно-практических конференциях, публикуют результаты своих работ в специальных изданиях.

Студенты кафедры активно участвуют в общественной жизни СКГМИ. Они имеют возможность проявить и развить свой творческий талант, заниматься в спортивных секциях по волейболу, баскетболу, футболу, армрестлингу, настольному теннису, и другим видам спорта. Студенты кафедры регулярно принимают участие в различных молодежных форумах, стартапах, волонтерском движении, оказываются в числе победителей и призеров ежегодного конкурса «Студенческая весна», спортивных соревнований различного уровня.

Кафедра «Электронные приборы» - это насыщенная студенческая жизнь, наполненная яркими событиями, максимально раскрывающими личностный и творческий потенциал студентов.

Международная деятельность

Международная деятельность СКГМИ - одно из важных направлений развития университета. Преподаватели кафедры совместно со студентами, магистрами и аспирантами, принимают участие в различных международных конференциях и олимпиадах. В 2023 году кафедрой «Электронные приборы» была проведена I Международная научно-практическая конференция «Электронные средства, системы управления и коммуникаций». В конференции приняли участие ученые, студенты из России, Беларуси, Азербайджана, Армении, Узбекистана, Сенегала, Марокко, Южной Осетии. Эту конференцию планируется проводить ежегодно.

На фото:
1.   I Международная научно-практическая конференция «Электронные средства, системы управления и коммуникаций». Апрель, 2023 г.
2.  I Международная научно-практическая конференция «Электронные средства, системы управления и коммуникаций». Секция «Доклады на иностранном языке. Апрель, 2023 г.

Выдающиеся выпускники кафедры

Многие из выпускников, которыми гордится кафедра, в разные годы являлись руководителями и главными специалистами предприятий и организаций, руководителями административных и хозяйственных органов, работниками науки и высшего образования.

Среди них:

Гостиев В.Г. - к.т.н., главный технолог предприятия "Торий" (г. Москва);
Губиев А.В. - главный инженер ПО "Позитрон" (г. Санкт-Петербург);
Цогоев И.Т. - генеральный директор АО "Ксенон" (г. Зеленоград);
Кесаев С.А. - к.т.н., исполнительный директор АО "Катод" (г. Новосибирск");
Михайлова И.В. - к.т.н., научный сотрудник ЦНИИ «ЦИКЛОН» (г. Москва);
Гер Н.А. - главный инженер завода "Гран";
Иваницкий М.И. - главный инженер завода "Янтарь";
Кулаева М.В. - к.т.н., заместитель руководителя Управления республики Северная Осетия-Алания по информационным технологиям и связи;
Баклаков В.М. - Начальник отдела информационных технологий Центра развития образования и инноваций Министерства образования и науки РСО-Алания;
Платов Э.А. - главный инженер ОАО "Гран";
Алкацева Т.Д. - к.т.н., исполнительный директор ВТЦ "Баспик";
Самканашвили Д.Г. - директор по науке и инноватике ВТЦ "Баспик";
Мирзаева Л.К. - заместитель руководителя Комитета природных ресурсов РСО-Алания;
Гер И.Н. - Начальник отдела радиоэлектронной промышленности (ОПК) Министерства Промышленности и инвестиций РСО – Алания;
Омельченко А.И. - председатель комитета по банкротству;
Пхешхов А.Ш - заместитель мэра г. Черкесск;
Блиев А.П. - к.т.н., профессор, проректор по научной работе СОГУ (в настоящее время директор ЦКП «Физика и технология наноструктур» СОГУ);
Ивлев Д.Г. – к.ф-м.н., ведущий научный сотрудник БГУ (г. Минск);
Батраев А. Г. – Заместитель председателя Контрольно-счетной палаты Республики Башкортостан;
Елканова Т.М – к.т.н., доцент ГГАУ;
Евсюков А.М. – директор ОАО «Голицынский автобусный завод»;
Пицхелаури Г.З. – главный энергетик завода «Кристалл»;
Джикаев А.М. – генеральный директор завода «Разряд»;
Шиманская А.В. – к. ф-м .н., старший лектор Технологического университета Окленда (Новая Зеландия);

и многие другие.

Новости